與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸,。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。
SiC功率半導(dǎo)體方面,，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速,。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型,。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,，因此可以進(jìn)一步降低損耗,。導(dǎo)通電阻降低后,，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就是說(shuō),，能夠削減成本,。
由于溝道型MOSFET具有以上特點(diǎn)，日本各半導(dǎo)體廠商將其視作“可充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的晶體管第一候選”,，正式開(kāi)始進(jìn)行研究開(kāi)發(fā),。這一動(dòng)向在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC相關(guān)國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”上得到了充分體現(xiàn)。在此次會(huì)議上，各企業(yè)紛紛發(fā)表了溝道型SiC MOSFET的最新開(kāi)發(fā)成果,。比如羅姆,、住友電氣工業(yè)及三菱電機(jī)等。其中,，羅姆在實(shí)用化方面似乎走在前列,。該公司將在2014年上半年推出柵極和源極都設(shè)有溝道的“雙溝道型”SiC MOSFET。
SiC備受汽車行業(yè)的期待,。比如,，電裝正在自主研發(fā)SiC基板和功率元件。當(dāng)然,，該公司也在開(kāi)發(fā)溝道型MOSFET,，并宣布將于2015年推出產(chǎn)品。
日本各大企業(yè)紛紛開(kāi)展GaN功率元件業(yè)務(wù)
GaN功率元件方面,，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了新產(chǎn)品,，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。其中,，變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管（參閱本站報(bào)道）,。耐壓600V的功率晶體管能夠應(yīng)用于空調(diào)、電磁爐等白色家電,，混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的逆變器,，光伏逆變器及工業(yè)設(shè)備等輸出功率在數(shù)百～數(shù)萬(wàn)W的功率轉(zhuǎn)換器。
以前,，GaN功率晶體管的耐壓大都在200V以下,，耐壓600V的產(chǎn)品達(dá)到實(shí)用水平的只有美國(guó)Transphorm公司一家。進(jìn)入2013年,，松下和夏普宣布涉足GaN功率元件業(yè)務(wù),，前者于2013年3月開(kāi)始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品，后者于2013年4月開(kāi)始樣品供貨耐壓600V的產(chǎn)品,。此外,，國(guó)際整流器公司（IR）公司及EPC公司也在為實(shí)現(xiàn)耐壓600V產(chǎn)品的實(shí)用化而進(jìn)行研發(fā)。
富士通半導(dǎo)體也已開(kāi)始樣品供貨GaN功率晶體管,，該公司于2013年11月與Transphorm公司簽訂了合并GaN功率器件業(yè)務(wù)的協(xié)議,。雙方的業(yè)務(wù)合并后，將由Transphorm開(kāi)發(fā)GaN功率器件,，由富士通半導(dǎo)體制造,。
亞洲企業(yè)也紛紛涉足
前面提到的企業(yè)只不過(guò)是其中一小部分，另外還有很多企業(yè)著手研發(fā)GaN功率元件,，準(zhǔn)備開(kāi)展相關(guān)業(yè)務(wù),。今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間,，估計(jì)會(huì)展開(kāi)激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。
尤其是韓國(guó),、中國(guó)大陸和臺(tái)灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后,，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈。GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能夠沿用過(guò)去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6～8英寸Si基板的生產(chǎn)設(shè)備以及面向LED引進(jìn)的GaN類半導(dǎo)體外延設(shè)備等,，這將推動(dòng)亞洲企業(yè)涌進(jìn)該市場(chǎng),。
實(shí)際上，在2013年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”上,，中國(guó)大陸,、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲企業(yè)紛紛發(fā)布了GaN功率元件方面的研究成果,。其中,，三星電子的成果備受關(guān)注。該公司已在口徑200mm（8英寸）的Si基板上試制出了GaN功率晶體管,。
三星電子最近在致力于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā),。該公司于1998年將功率IC部門賣了飛兆半導(dǎo)體，但在2年前又成立了功率半導(dǎo)體部門,。
不僅是GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,，在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本以外的亞洲企業(yè)的實(shí)力也在逐漸增強(qiáng),。實(shí)際上,，準(zhǔn)備生產(chǎn)SiC基板和二極管的企業(yè)越來(lái)越多，表現(xiàn)尤為突出的是SiC基板領(lǐng)域,。
比如,，在前面提到的ICSCRM 2013上，北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司,、山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司及韓國(guó)SKC公司均宣布在開(kāi)發(fā)口徑150mm（6英寸）的SiC基板,。就在幾年前，亞洲企業(yè)中涉足該領(lǐng)域的只有北京天科合達(dá)藍(lán)光這一家,，如今形勢(shì)已經(jīng)改變,。
2014年，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域也要關(guān)注亞洲企業(yè)的動(dòng)向,。（記者：根津 禎,，《日經(jīng)電子》）
