本文將針對TFT LCD的整體系統(tǒng)面,，也就是對其驅(qū)動(dòng)原理來做介紹,，而其驅(qū)動(dòng)原理仍然因?yàn)橐恍┘軜?gòu)上差異的關(guān)系而有所不同。首先將介紹由于Cs (storage capacitor) 儲存電容架構(gòu)不同,，所形成不同驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)架構(gòu)的原理,。
Cs (storage capacitor) 儲存電容的架構(gòu)
一般最常見的儲存電容架構(gòu)有兩種,，分別是Cs on gate與Cs on common這兩種。顧名思義,，兩者的主要差別在于儲存電容是利用gate走線或是common走線來完成,。在上一期文章中曾提到，儲存電容主要是為了讓充好電的電壓能保持到下一次更新畫面的時(shí)候之用,，所以必須像在CMOS的制程之中,，利用不同層的走線來形成平行板電容。而在TFT LCD的制程中,，則是利用顯示電極與gate走線或common走線所形成的平行板電容,，來制作出儲存電容Cs。
圖1就是這兩種儲存電容架構(gòu)，圖中可以很明顯地知道,，Cs on gate由于不必像Cs on common需要增加一條額外的common走線,，所以其開口率(Aperture ratio)比較大。而開口率的大小是影響面板的亮度與設(shè)計(jì)的重要因素,，所以現(xiàn)今面板的設(shè)計(jì)大多使用Cs on gate的方式,。但是由于Cs on gate方式的儲存電容是由下一條的gate走線與顯示電極之間形成的(請見圖2中Cs on gate與Cs on common的等效電路)，
而gate走線就是接到每一個(gè)TFT的gate端的走線,，主要是作為gate driver送出信號來打開TFT,，好讓TFT對顯示電極作充放電的動(dòng)作。所以當(dāng)下一條gate走線送出電壓要打開下一個(gè)TFT時(shí),，便會影響到儲存電容上儲存電壓的大小,。不過由于下一條gate走線打開到關(guān)閉的時(shí)間很短(以1024 x 768分辨率，60Hz更新頻率的面板來說,。一條gate走線打開的時(shí)間約為20μs,，而顯示畫面更新的時(shí)間約為16ms，所以相較下影響有限),，所以當(dāng)下一條gate走線關(guān)閉,，回復(fù)到原先的電壓，則Cs儲存電容的電壓,，也會隨之恢復(fù)到正常,。這也是為什么大多數(shù)的儲存電容設(shè)計(jì)都是采用Cs on gate的方式的原因。
